【leyu新聞】光刻機被卡脖子成為華為心中的痛，也成為懸在我們頭上的一把劍。理性來看，國內的光刻機技術在短期內很難取得重大突破，但只要一步一步來，從量變達到質變，是能夠有所突破的。根據中國科學院官網的消息，中國科學院上海光學精密機械研究所（簡稱中科院上海光機所）最近在光刻技術上取得重要進展。

中科院計算光刻技術研究取得進展

　　據中科院官網刊文稱，上海光機所信息光學與光電技術實驗室提出一種基于虛擬邊（Virtual Edge）與雙采樣率像素化掩模圖形（Mask pixelation r:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫ith tr:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫o-phase sampling）的快速光學鄰近效應修正技術（Optical proximity correction, OPC），仿真結果表明該技術具有較高的修正效率。

　　文章還稱，快速光學鄰近效應修正技術（Optical proximity correction, OPC）通過調整掩模圖形的透過率分布修正光學鄰近效應，從而提高成像質量。基于模型的OPC技術是實現90nm及以下技術節點集成電路制造的關鍵計算光刻技術之一。

中科院上海光學精密機械研究所

　　另外，中科院還對計算光刻技術（Computational Lithography）進行了科普。所謂計算光刻技術，它是在光刻機軟硬件不變的情況下，采用數學模型和軟件算法對照明模式、掩模圖形與工藝參數等進行優化，可有效提高光刻分辨率、增大工藝窗口。該技術被認為是推動集成電路芯片按照摩爾定律繼續發展的新動力。

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