【leyu新聞】臺積電版的驍龍8+確實令三星陷入了個不小的窘境，不過，作為志在“2030年前，成為全球最先進的半導體制造公司之一”的三星，日前終于亮出首個3nm工藝制造的12英寸晶圓，并計劃在今年Q2季度量產。

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　　據三星透露，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優于臺積電3nm FinFET工藝。

　　對三星來說，3nm節點是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關鍵，三星的3nm節點啟用GAA技術，這是一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

　　另一方面，據此前業界曝光的信息：臺積電將于今年下半年小規模試產，明年才會進行大規模量產3nm工藝。所以，憑借絕對的時間進度，雖然廠商們或許會顧慮三星良品率不行等負面傳聞，但3nm工藝GAA技術的絕對性能提升還是為三星帶來了極大的優勢。

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